Η Samsung αναπτύσσει την πρώτη DRAM 3ης γενιάς τάξεως 10nm

Η Samsung Electronics, παγκόσμιος ηγέτης στην προηγμένη τεχνολογία μνήμης, ανακοίνωσε πως ανέπτυξε μια 3ης γενιάς, τάξεως 10-nanometer (1z-nm), οκτώ gigabit (Gb) Double Data Rate 4 (DDR) DRAM, για πρώτη φορά στην βιομηχανία. Μόλις 16 μήνες μετά την μαζική παραγωγή της 2ης γενιάς, της τάξεως 10nm (1y-nm) 8G DDR4, η ανάπτυξη της 1z-nm 8Gb DDR4, χωρίς τη χρήση Extreme Ultra-Violet (EUV) διεργασίας, ανεβάζει τον πήχη στην κλιμάκωση της DRAM ακόμα περισσότερο.

Καθώς η 1z-nm αποτελεί τον μικρότερο κόμβο διεργασίας μνήμης στη βιομηχανία, η Samsung ανταποκρίνεται στις αυξανόμενες απαιτήσεις της αγοράς με τη νέα της DDR4 DRAM, που διαθέτει αυξημένη δυνατότητα παραγωγής κατά 20% σε σύγκριση με την προηγούμενη 1y-nm.

Το ολοκληρωμένο άρθρο του myphone.gr περιέχει ακόμη 157 λέξεις